Numărul de produs al producătorului:
TSM120N06LCS RLG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM120N06LCS RLG-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 23A (Tc) 12.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
13532 Piese Noi Originale În Stoc
12895606
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM120N06LCS RLG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2193 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
TSM120
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM120N06LCS RLGCT-DG
TSM120N06LCSRLGCT
TSM120N06LCSRLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR-DG
TSM120N06LCSRLGTR
TSM120N06LCS RLGDKR
TSM120N06LCS RLGTR
TSM120N06LCS RLGCT
TSM120N06LCS RLGDKR-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM4800N15CX6 RFG
MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
TSM340N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
TSM6N60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
